En 1939, Schottky, un famoso físico alemán de Siemens, publicó "una interpretación cuantitativa de la teoría de la carga espacial y la capa superficial de los rectificadores cristalinos", que sentó las bases teóricas de los diodos de barrera Schottky.
En 1955, Siemens inventó el método de reducción de triclorosilano para producir polisilicio de alta pureza y el silicio monocristalino purificado de fusión de la zona resultante, el famoso método Siemens y el método Siemens mejorado más tarde. El método de silicio monocristalino de fusión de la zona (FZ) sigue siendo el principal método de producción de materiales semiconductores de potencia.
En 1964, Siemens inventó una estructura de crimpado interno tipo perno para hacer dispositivos semiconductores de potencia de silicio, y en 1965 inventó una estructura de crimpado externo de placa plana, a saber, un tiristor de placa plana y una estructura de diodo de potencia.
En 1973, Siemens usó por primera vez silicio monocristalino dopado con transmutación de neutrones, lo que mejoró en gran medida el índice de rendimiento del tiristor (SCR).
En 1980, Siemens lanzó la patente SIPMOS para MOSFET de potencia, ganando una gran cuota de mercado global.
En 1988, Siemens tomó la delantera en el lanzamiento de una nueva estructura de ánodo transparente TNP-IGBT, debido a su alta confiabilidad, bajo costo, características similares a MOS, influencia, Siemens rápidamente determinó su nombre estándar internacional IGBT.
En 1990, la división de semiconductores de potencia de Siemens (establecida en 1949) y la división de semiconductores de potencia AEG de Alemania (establecida en 1947), cada una con el 50% de las acciones, se fusionaron para formar la famosa empresa EUPEC, especializada en la producción de dispositivos semiconductores de alta potencia.
En 1994, EUPEC lanzó la serie de módulos IGBT EconomoPACKTM, estableciendo el estándar actual para el embalaje de módulos IGBT EconomoPACK (seis celdas), EconomoPIM (puente rectificador + siete celdas).
En 1995, EUPEC fue pionera en el módulo de alto voltaje IGBT de 3300 V (IHV).
En 1996, EUPEC lanzó el primer tiristor comercial de 8000V activado por luz (LTT), y sigue siendo el único fabricante del mundo que puede ofrecer LTT comercial.
En 1998, Siemens Semiconductor rompió el límite de desarrollo de los MOSFET de potencia y lanzó la patente de invención CoolMOSTM, que redujo en gran medida la región de deriva Rds (on) de los MOSs de potencia de alto voltaje. Infineon CoolMOS fue un hito en la historia de desarrollo de los MOSFET de potencia de alto voltaje (500V).
En 1998, Infineon también presentó un MOSFET de potencia de bajo voltaje (150V) de puerta ranurada, o OptiMOSTM, que redujo significativamente las Rds (encendido) en la sección del canal. Las Rds bajas (encendido) son la competitividad central de los MOSFET de potencia de Infineon.
En 1999, EUPEC presentó el primer módulo IGBT de 6500 V.
En 1999, Siemens Semiconductor Group se hizo público de forma independiente, formando Infineon Technologies.
En 2000, Infineon presentó la tecnología de terminación de puerta zanjada + campo, el chip Trench StopTM IGBT3, que es una combinación sobresaliente de las dos tecnologías avanzadas de producción de chips IGBT disponibles en la actualidad.